日本ceramic forum半導體分析裝置測量結晶 HERA FT1230 特點介紹

DLTS方法是一款高感度測量結晶缺陷導致的電子狀態(tài)的良好方法。

即便是內在微小的雜質或格子缺陷也會很大程度上影響半導體材料性能，所以此類測量非常重要。

DLTS方法是一種通過將深準位捕獲的carrier（比如電子）釋放于Band帶上后，顯示其與試料結合容量的過度變化的一種手法，

從而可以得知深準位的參數(shù)（能量級別、捕獲斷面積）、濃度值、空間分布等信息。

日本ceramic forum半導體分析裝置測量結晶 HERA FT1230 規(guī)格參數(shù)

HERA-DLTS

基本DLTS測量

數(shù)碼DLTS測量

Laplace DLTS測量 包含以上3中模式

可測量范圍

C/V, I/V, C(t) 測量

C/V, I/V, 特性實施

參雜濃度

勢壘高度Barrier height

肖特基的理想系數(shù)

氧化膜厚度計算

DLTS測量可選項

傅里葉（Fourier）轉換

Laplace轉換

多指數(shù)函數(shù)過度FIT

ITS（等溫過度頻譜）信號再折疊

Tempscan信號再折疊

發(fā)源于德國Kassel工科大學的DLTS測量裝置專業(yè)廠家。成功開發(fā)出目前在流通的DLTS系統(tǒng)中一款數(shù)碼對應設備，同時也是世界普及DLTS系統(tǒng)DL-8000的研發(fā)廠家（經(jīng)銷商BIO-RAD）。2016年推出的FT-1230與其他競爭對手的產(chǎn)品相比，擁有更多的測量模式，可對應任何材料及研發(fā)人員的需求，屬于一款的擴展性好的系統(tǒng)。